雖然國內耐電（diàn）暈聚酰亞胺薄膜製品的關鍵性能仍低於杜邦公（gōng）司的產品水平, 但實驗室階段的研究已取得一定的進展（zhǎn）。

  采用原位分散聚合法製備了聚酰亞胺/ 納米Al 2O 3 複合材料,並采（cǎi）用透射（shè）電子（zǐ）顯微鏡( TEM) 對納（nà）米Al 2O3 的分散狀態進行（háng）了表（biǎo）征。研（yán）究表明,隨著納米Al 2O3 含（hán）量的增加, 材料的耐電（diàn）暈性能顯（xiǎn）著增強, 在±910 V (雙極性) 、15 kHz 條件下,納米Al 2O 3質量分數（shù）為20 %的聚酰亞（yà）胺(P I) 薄膜的耐電暈壽命達到極（jí）大（dà）值, 為純P I 薄膜壽命的25倍,聚酰亞胺/ 納米Al 2O 3 複合材料的體積電阻率和電（diàn）氣強度沒有明顯的劣化, 而相（xiàng）對介電常數（shù）和（hé）介質損耗（hào）因數有所增加。他們還采用原位分散聚合法製備了聚酰亞胺/ 納米TiO2 複合材料。通過透射電鏡研究了納米TiO 2 粒子在聚酰亞胺基體中的分散狀態, 並在此基礎上研究了納米TiO 2添加量對該複合材料介電性能的影響（xiǎng）。

  通過超（chāo）聲機械混合（hé）方法製備納米二氧化矽（guī）/ 聚酰亞（yà）胺（àn）複合耐電暈薄膜,並對其（qí）耐（nài）電暈性進行測量。用紅外光譜( IR) 和原子力顯微鏡(AFM) 觀察無（wú）機納米粒子的分散情況及其電暈前後變化。結果表明（míng）,納米二氧化（huà）矽/ 聚酰亞胺複合薄膜耐電（diàn）暈性比普通的聚酰亞胺薄膜高。

  在（zài）綜合國內外公開發表的相關文獻的（de）基礎上,對耐電暈材料（liào）的合成、耐電暈機理進行了評述（shù）, 並指出目前我國在耐電暈材料的研究和產業化過程中存在的問題及今後（hòu）的發展方向。為我國的耐電暈材料（liào）的（de）研究, 特別是耐電暈聚酰亞胺薄膜的研製提供了有力的理論依據。

  我國的聚酰亞胺薄膜經（jīng）過幾十年（nián）的艱苦努（nǔ）力,已取得了一定的發展,生產廠家已發展到幾十家,但生產規模大都比較（jiào）小, 且品種（zhǒng）單（dān）一, 質量（liàng）水平低下,以致國內目前大量使用的電子用聚酰亞胺（àn）薄膜、耐電暈聚酰亞胺薄膜以及高強度聚酰亞胺薄膜等高端產品仍不得不依賴進口。如何加（jiā）快高性能聚酰亞胺薄膜的國產化研究是目前擺在（zài）絕緣材料行（háng）業麵前的重大課題之一。

Dupont Kapton CR 薄膜（mó）問（wèn）世已有十餘年,國內不少學者（zhě）對（duì）其結構與性能（néng）、耐電暈機理等理（lǐ）論問（wèn）題進行（háng）了研（yán）究,雖然取得一定的進展,但尚未（wèi）取得（dé）關鍵性突（tū）破。國內也有數家企（qǐ）業開展過試製研究, 但試製產品的耐電暈性（xìng）、熱收縮率、機械強度（dù）等（děng）多項關鍵（jiàn）性能仍遠低於Dupont 公司產品水平。

  表明（míng）我國（guó）研究者對（duì）該產品的認識（shí）, 無論在理論（lùn）方麵還是製造工藝方麵仍處在初級階段。作者認為, 相關企業（yè）隻（zhī）有加大科（kē）研投入, 並（bìng）與具有真正研究實力的大學或科研院所合作,才有可能完成該產品的國產化研究。