PI薄膜以其優異性能在微（wēi）電（diàn）子行業發揮（huī）著越來（lái）越重要的（de）作用。為了提高其粘接強度（dù），對PI薄膜的表麵改性具有（yǒu）重要的意義。

    等離子體是（shì）一種全部或部分電離的氣（qì）體狀（zhuàng）態物質，含有原子、分子、離子亞穩態和激發態，並且（qiě）電（diàn）子、正（zhèng）離子與負離子的含量大（dà）致相等。物質能量較高，易與其他物質起物理、化學和生理反應。

    自20世紀60年代以來，等離子體（tǐ）技術，特別是低溫等離子體技術對高分子材料表麵改性的研究十分活（huó）躍，應用越來越廣泛。這（zhè）種改（gǎi）性方法有許多優點：(1)可以很快改變表麵組成而不（bú）影響（xiǎng）其整體（tǐ）相性質；(2)可通過調整工作條件參數（shù）選擇**條件；(3)可以在表麵引入各種官能團為進一步（bù）處理創造條件等。

    按放電形式，低溫等離子體（tǐ）可分為電暈放電、輝光（guāng）放電（diàn）、介質阻擋放電和射頻放電等。

(1)電暈放電

電暈放電又稱低頻放電，是在大氣壓條件下產（chǎn）生的（de）弱電流放電．是一種高電場強度、低離（lí）子密度的低溫等離子體。它是對距（jù）離很近的2個電極施加較高電壓，使電極間的氣體擊穿而產生的放電現象，放電時會生成臭氧、自由基、電子、紫外線等。

(2)輝（huī）光放電

輝光放電也稱高頻放電，一般是指在適當的低氣壓下，施加一定（dìng）的電壓使（shǐ）氣體擊穿而產生的穩定放電現象。其（qí）特點是端電壓低，同時放出較大的熱量。它處於電暈放電與微波放電之間（jiān）的中（zhōng）間範圍，比電暈放電的電場強度高。氣體壓（yā）力小。相（xiàng）比於低氣壓下的輝（huī）光放（fàng）電，大（dà）氣壓下輝光放電不需產生低氣（qì）壓和真李密封係統．簡化了工藝流程（chéng）。

(3)介質（zhì）阻擋放（fàng）電

介質阻擋放電(DBD)通常（cháng）是由2個平行電極產生，其中至少有1個被電介質層所覆蓋，當兩電（diàn）極之間加上交流高壓。則兩極間的氣體擊穿而形成放電（diàn），介質阻擋放（fàng）電中的電介質層既能起限流作用又能阻止放電向弧光（guāng）放電的過（guò）渡，可以實現高氣壓（yā）氣體放電。DBD放電空間的電場（chǎng）達到氣體的擊穿場強（qiáng）後，在放電空間產生大量的活性粒子(如電子、離子、準（zhǔn）分子、激（jī）勵態和亞穩態粒子等)。DBD等離子體與材料（liào）表麵相互作用後。在材料表（biǎo）麵形成含氧、含氮的極性基團．使材料表麵（miàn）的粘接性、可（kě）染色性、印刷性及生物相容性（xìng）等性能得到改善（shàn）。

(4)射（shè）頻放電

射頻放電分為電容（róng）藕合式和（hé）電感（gǎn）藕合式。兩（liǎng）者分別（bié）以高頻電容電場（chǎng）和渦旋電場來獲得等（děng）離（lí）子體（tǐ），原理相近，構造相對簡單，效果優良，得到了廣（guǎng）泛（fàn）應（yīng）用。