聚酰亞胺（àn）具有高的熱穩定性、高的絕緣性、低的介電常數以（yǐ）及（jí）優良的機械強度而應用於集成電路。尤其是光敏聚酰亞胺，不但可以大大（dà）簡化集成電路的製造工藝，而且所製作的圖形質量大大優於非光敏聚酰亞胺。隨著微（wēi）電子器件不斷向微型化、高密度化方向發（fā）展，對光刻膠的性能要求越（yuè）來越高。

  1971年，由Kerwin 等（děng）〔2〕提出光敏聚酰亞胺（PSPI）。八（bā）十年代，日本（běn）成功地開發出（chū）離子型負性PSPI 商品（Photoneece）。這種光刻膠在365"nm 有很強的吸收，其感（gǎn）光度為7 ~ 10"mJ / cm2，這（zhè）是在以往（wǎng）的（de）報導中感光度**的（de）。在後來的研究中，盡（jìn）管（guǎn）很多學者做了大（dà）量的工作，但所合成的離子（zǐ）型PSPI 的感光度大多在920 ~ 150"mJ / cm2 之間。這種離子型負性PSPI 光刻膠的研究焦點主要集中在光敏性叔胺的設計（jì）合成上。離（lí）子型PSPI 有許多優點：1、靈敏度（dù）高；2、酰亞胺溫度低；3、膜的機械性能好；4、合（hé）成（chéng）簡便等。近年來有（yǒu）關（guān）的報道很多，但感（gǎn）光度都不理想。

  合成了新的複合光（guāng）敏聚酰胺酸季銨鹽，研究了光敏（mǐn）劑（jì）、交聯劑以及化學（xué）結構（gòu）對感光度的影響，並考（kǎo）察了其（qí）熱穩定性。結果表明以3，3'，4，4'-聯苯四酸二酐- 間苯（běn）二（èr）胺為主鏈的聚酰胺酸合成的光敏聚（jù）酰胺酸季銨（ǎn）鹽有較高（gāo）的（de）感（gǎn）光度，光敏劑米氏酮的含量在3 ~ 5%，交（jiāo）聯劑2，6-雙（4-疊氮苄（biàn）基）-4-甲基環己酮的含量在8 ~ 10%為宜；光敏性叔胺（àn）二甲氨基乙醇肉桂叉乙酸酯的含量不可（kě）超過8%；由這種（zhǒng）複合季銨（ǎn）鹽合成的新的（de）光敏聚酰胺（àn）酸鹽在較低（dī）的溫度200"C以下就可以完全酰亞胺化（huà），但接近550"C才達（dá）到理論失重量。